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蒸鍍生產(chǎn)線

產(chǎn)品特點(diǎn)

真空過(guò)渡分為1000Pa、1Pa、10-4Pa三級(jí),異于10Pa、10-4Pa兩級(jí)模式,最大優(yōu)化羅茨泵在1000Pa~1Pa的抽氣效率,降低設(shè)備低真空段的泵組配置,減少設(shè)備能耗節(jié)約成本。

采用低溫泵在鍍膜前進(jìn)行樣片運(yùn)送時(shí)水汽的收集,抽氣效率高,對(duì)設(shè)備場(chǎng)地濕度要求降低,減少生產(chǎn)建設(shè)投資。

線性源采用一體化加熱及模塊化坩堝拼接設(shè)計(jì),坩堝個(gè)體尺寸小具有極小的熱變形,坩堝位置可調(diào)節(jié)具有鍍膜均勻性調(diào)節(jié)的作用。

技術(shù)參數(shù)

設(shè)備型號(hào)ZDX-300(600、1200)
極限真空8×10-5Pa
腔室功能分類進(jìn)、出樣室(1000Pa)
低真空過(guò)渡室(1Pa)
高真空過(guò)渡室(5×10-4Pa)
蒸鍍室(5×10-4Pa)
蒸發(fā)源類型線性源:室溫~700℃,水冷
蒸發(fā)距離120~300mm

技術(shù)參數(shù)

樣品幅寬300、600、1200mm
常用蒸發(fā)材料C60、BCP、LiF、PbI2、CsBr、Cu等
鍍膜節(jié)拍≥60s
連續(xù)運(yùn)行時(shí)間≥300h
≥50h(C60、1A/s)
膜厚均勻性≤±5%
鍍膜速率穩(wěn)定性≤±0.1A/s
鍍膜時(shí)樣品溫度≤60℃

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

針對(duì)電子傳輸層(C60)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
針對(duì)C60蒸發(fā)材料吸附氧、水汽對(duì)蒸鍍穩(wěn)定性的影響,在鍍膜室進(jìn)行預(yù)蒸發(fā)處理、深冷收集等處理,提高C60蒸鍍溫度穩(wěn)定性,延長(zhǎng)連續(xù)鍍膜時(shí)間。
線性源根據(jù)C60特性,蒸發(fā)口采用不遮擋方式,蒸發(fā)速率更快、減少冷凝載體面積、穩(wěn)定性更好。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

針對(duì)鈣鈦礦層共蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
兼容2-3源共蒸發(fā)
共蒸發(fā)源具有2種工作模式,同步混合鍍膜,分層交替鍍膜,針對(duì)不同材料的物理特性具有更好的兼容性和共蒸發(fā)效果。
線性源mask具有多孔、狹縫、寬縫等多樣化結(jié)構(gòu)方式,針對(duì)不同材料的物理特性能夠分別解決:樣品降溫、減少mask冷凝、蒸發(fā)效率調(diào)控、發(fā)散角調(diào)控等問(wèn)題。
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